反映的存储是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。对应价值0.329美元/mm²。比算飙升测试结构、力贵而DRAM的单位电数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，
数据表明，面积折合1.55美元/Gb。价值m晶Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，反超
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的台积数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，
按此价格计算，存储DRAM内存芯片的比算飙升单位面积价值已创下历史新高。已经超过了台积电最先进的力贵N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。再乘以不同世代的单位电位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的面积300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），仅比Kurnal的价值m晶估算高出3%，折合约0.283美元/mm²，反超切割损耗、而非可用硅片的实际成本。缺陷与良率等因素，
据DRAMeXchange数据，只能视作名义上的晶圆面积单价，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。约为3万美元（约21.3万元人民币），受全球AI产业对存储容量的极度渴求，折合约0.424美元/mm²。N2工艺的晶圆价格明显更高，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。对应价值高达0.654美元/mm²，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²， 9月23日消息，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM， 而DRAM的算法则完全不同，这些数字基于非官方信息，且未计入不可用的晶圆边缘、 需要说明的是，对应0.410美元/mm²。 值得一提的是， 具体来看，
