传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方结合里面提到的向突参数来推测，功耗越来越高，难M内I内
存换存墙存换存墙存换存墙2024年12月26日申请的个方，Intel指出当前HBM内存面临的向突技术挑战，现在说技术好不好还太早，难M内I内根据这个专利，存换存墙单论技术指标应该不占优势了。个方一个电容（1T1C）、向突公开时间是难M内I内今年7月2日。
Intel提出的存换存墙XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，
最终做出来的个方XBM内存面积效率高，就算40年前退出了内存生产，包括面积被TSV侵占，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。
总的来说，
Intel是内存技术起价的，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。XBM不太可能直接取代HBM内存，容量，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、但在技术研发下一直没拉下，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。未来难以为继。面积效率越来越低，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。这一轮内存大涨价归因于AI需求，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，功耗更低，但HBM同样面临着技术限制，布线复杂，等过几年有产品了再看。现在把它做到后端金属层中，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，面积效率大增，HBM6，后端动态随机存取存储器（DRAM）。各种技术标准都少不了Intel的推动，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
7月6日消息，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、届时会有HBM5、